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工業(yè)級(jí)石墨烯 Industrial-Quality Graphene 制備方法：熱剝離還原 厚度（nm）：≤3 BET比表面積（平方米/克）：~ 600 電阻率（Ω?cm）：0.30

羧基化石墨烯 Carboxyl Graphene 直徑：1~5um 厚度：0.8~1.2nm 羧基比例：5% 純度：99%

單層氧化石墨烯（H法/進(jìn)口） Single Layer Graphene Oxide (H Method) 制備方法：改良的H法 直徑：1~5um 厚度：0.8~1.2nm 單層比：99% 純度：99% 堆積密度：0.44g/cm3 體積密度：為0.26g/cm3

氧化石墨烯（S法/進(jìn)口） Graphene Oxide (S Method) 制備方法：斯托登梅爾方法 外觀為灰綠色粉末 直徑：1~5um 厚度：0.8~1.2nm 比表面積（SSA）5-10平方米/克 單層比：＞90% 氧含量:~35 wt% 堆積密度：0.013g/cm3 體積密度：0.008g/cm3 XPS評(píng)估結(jié)果（元素重量比） C1s: 65.71% N1S: 0.5% O1s: 33.

氧化石墨烯（S法/進(jìn)口） Graphene Oxide (S Method) 制備方法：斯托登梅爾方法 外觀為灰綠色粉末 直徑：1~5um 厚度：0.8~1.2nm 比表面積（SSA）5-10平方米/克 單層比：＞90% 氧含量:~35 wt% 堆積密度：0.013g/cm3 體積密度：0.008g/cm3 XPS評(píng)估結(jié)果（元素重量比） C1s: 65.71% N1S: 0.5% O1s: 33.

Semiconductor analog of graphene: Graphene oxide has been synthesized at our R&D facilities using modified reaction Hummer technique. Growth technique emphasizes on minimizing the defect density