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  • EMFUTER氧化金屬納米顆粒

    納米顆粒具有重要的科學(xué)研究?jī)r(jià)值,它搭起了大塊物質(zhì)和原子、分子之間的橋梁。大塊物質(zhì)的物理性質(zhì)通常與大小無(wú)關(guān),但是在納米尺寸上卻通常并非如此。目前觀測(cè)到了一些特殊的物理性質(zhì),例如:半導(dǎo)體納米顆粒的量子束縛,一些金屬納米顆粒的表面等離子體共振(surface plasmon resonance),磁性材料的超順磁性。 類固體和軟的納米顆粒也被制造出來。脂質(zhì)體是典型的具有類固體特性的納米顆粒。 NA

    更新時(shí)間:2024-06-02
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  • 量子點(diǎn)QD-LEDs

    QLED量子點(diǎn) 特制紅/綠/藍(lán)QLED量子點(diǎn)溶液 濃度:~20mg/ml,溶劑:正辛烷(可定制不同溶劑、濃度) 直接用于旋涂工藝 ZnMgO 納米粒子 濃度:~30mg/ml,溶劑:乙醇 成膜效果好,材料穩(wěn)定 HIL/HTL 材料 HIL:固含量:~1.5% HTL:固含量:~1.2% 量子點(diǎn) 墨水

    更新時(shí)間:2024-06-02
    產(chǎn)品價(jià)格:4000
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  • HMF_ZnSe/ZnS QDs無(wú)重金屬ZnSe/ZnS量子點(diǎn)

    ZnSe量子點(diǎn)是一種新型環(huán)?!熬G色”半導(dǎo)體納米材料,有效克服了Cd系量子點(diǎn)毒性大的缺點(diǎn),作為寬帶隙半導(dǎo)體材料,ZnSe是制造藍(lán)綠波段半導(dǎo)體發(fā)光器件的重要材料。應(yīng)用*專有技術(shù)合成的ZnSe/ZnS量子點(diǎn)具有尺寸均勻,單分散性強(qiáng),熒光量子產(chǎn)率高,穩(wěn)定性好,生物毒性低等優(yōu)異特性;可以廣泛應(yīng)用于藍(lán)光半導(dǎo)體光電器件、太陽(yáng)能電池、生物標(biāo)記等領(lǐng)域。

    更新時(shí)間:2024-06-02
    產(chǎn)品價(jià)格:4000
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  • (HMF_InP/ZnS QDs)無(wú)重金屬InP/ZnS量子點(diǎn)

    由于其激子波爾半徑比Ⅱ-Ⅵ族的大,量子限域效應(yīng)明顯,消光系數(shù)大,發(fā)射光譜頻率覆蓋整個(gè)可見光范圍,并延伸至近紅外區(qū)域,尤其是不含有重金屬元素,InP量子點(diǎn)在平板顯示背光源、照明、生物醫(yī)學(xué)標(biāo)記、指紋識(shí)別,以及太陽(yáng)能領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用。 應(yīng)用*專有技術(shù)合成的InP/ZnS量子點(diǎn)具有穩(wěn)定性好,熒光發(fā)射峰范圍廣,發(fā)光效率高,波長(zhǎng)可調(diào)等諸多優(yōu)異特性。

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  • CdS/ZnS QDs合金CdS/ZnS量子點(diǎn)

    光學(xué)性能對(duì)粒子尺寸的依賴性是量子點(diǎn)*的和*吸引力的功能。例如,通過控制粒子的大小,CdSe量子點(diǎn)的發(fā)射光波長(zhǎng)在整個(gè)可見光范圍內(nèi)連續(xù)可調(diào)。然而,二元素量子點(diǎn),如CdSe量子點(diǎn),有兩個(gè)缺點(diǎn)。第一,其表面缺陷形成表面陷阱態(tài),使發(fā)光效率和穩(wěn)定性降低。通過在量子點(diǎn)表面包附ZnS,形成Core-shell結(jié)構(gòu)可以降低面缺陷,但CdSe和ZnS晶格失配,在很大程度上影響其發(fā)光效率和光學(xué)穩(wěn)定性。第二,量子點(diǎn)的

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  • 460-650 nm合金CdSe/ZnS量子點(diǎn)

    光學(xué)性能對(duì)粒子尺寸的依賴性是量子點(diǎn)*的和*吸引力的功能。例如,通過控制粒子的大小,CdSe量子點(diǎn)的發(fā)射光波長(zhǎng)在整個(gè)可見光范圍內(nèi)連續(xù)可調(diào)。然而,二元素量子點(diǎn),如CdSe量子點(diǎn),有兩個(gè)缺點(diǎn)。第一,其表面缺陷形成表面陷阱態(tài),使發(fā)光效率和穩(wěn)定性降低。通過在量子點(diǎn)表面包附ZnS,形成Core-shell結(jié)構(gòu)可以降低面缺陷,但CdSe和ZnS晶格失配,在很大程度上影響其發(fā)光效率和光學(xué)穩(wěn)定性。第二,量子點(diǎn)的

    更新時(shí)間:2024-06-02
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