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Substrate: Sapphire (c-cut) Quartz (Silica) TEM grids (please supply grids) Thermal Oxide (SiO2/Si) Polyethylene terephthalate – PET Substrates Pick your own substrates (please define the substrate ty

Newly acquired ion implantation accelerator unit allows 2Dsemiconductors USA to create desired amounts of defects by alpha particle irradiation process at select amount of doses.

基于SiO2/Si晶片的雙層CVD石墨烯薄膜 將兩層單層CVD石墨烯膜轉(zhuǎn)移 到285nm p摻雜的SiO 2 / Si晶片上 尺寸：1cmx1cm; 8片 將每個(gè)石墨烯膜連續(xù)轉(zhuǎn)移到晶片上 我們的石墨烯薄膜的厚度和質(zhì)量由拉曼光譜控制 該產(chǎn)品的石墨烯覆蓋率約為98％ 石墨烯薄膜是連續(xù)的，具有小孔和有機(jī)殘留物 每個(gè)石墨烯薄膜主要是單層（超過(guò)95％），偶爾有少量多層（低于5％的雙層） 由于沒(méi)有A-B堆疊

德國(guó)2D Next主要提供機(jī)械剝離的超大尺寸二維材料，可以提供在眾多基底上的轉(zhuǎn)移技術(shù)，如二氧化硅，藍(lán)寶石，CVD金剛石等，可用材料包括MoS2，MoSe2，WS2，WSe2等，提供三種尺寸的機(jī)械剝離2L/3L材料，分別為50um,75um,100um

Chemical vapor deposited (CVD) GaSe films have been synthesized at our facilities in 2019. Bulk GaSe is a 2.0 eV direct semiconductor with exciting second harmonic, optical.

1．將單層硫化鉬轉(zhuǎn)移至襯底（襯底可根據(jù)客戶(hù)需求選定）$n2．邊長(zhǎng)15um （三角形）片內(nèi)層數(shù)均勻$n3．襯底上轉(zhuǎn)移3個(gè)（數(shù)量可定制）帶電極的單層硫化鉬樣品$n4．電極間距：~5um