SiO2/Si晶片的CVD石墨烯六方氮化硼異質(zhì)結(jié)

簡要描述：SiO2/Si晶片的CVD石墨烯六方氮化硼異質(zhì)結(jié)
石墨烯/h-BN薄膜的性質(zhì)：
單層h-BN薄膜上的單層石墨烯薄膜轉(zhuǎn)移到285nm（p摻雜）SiO2/Si晶片上
尺寸：1cmx1cm; 8片裝
每個(gè)薄膜的厚度和質(zhì)量由拉曼光譜控制
該產(chǎn)品的覆蓋率約為98％
薄膜是連續(xù)的，有小孔和有機(jī)殘留物
高結(jié)晶質(zhì)量
石墨烯薄膜預(yù)先單層（超過95％），偶爾有少量多層（雙層小于5％）

更新時(shí)間：2024-06-03
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基于SiO2/Si晶片的CVD石墨烯六方氮化硼異質(zhì)結(jié)

石墨烯/h-BN薄膜的性質(zhì)：
單層h-BN薄膜上的單層石墨烯薄膜轉(zhuǎn)移到285nm（p摻雜）SiO2/Si晶片上

尺寸：1cmx1cm; 8片裝
每個(gè)薄膜的厚度和質(zhì)量由拉曼光譜控制
該產(chǎn)品的覆蓋率約為98％
薄膜是連續(xù)的，有小孔和有機(jī)殘留物
高結(jié)晶質(zhì)量
石墨烯薄膜預(yù)先單層（超過95％），偶爾有少量多層（雙層小于5％）
薄層電阻：430-800Ω/平方