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簡要描述:銅銦硫(硒),銅銦鎵硫(硒),銅鋅錫硫(硒)多元半導化合物對可見光的吸收系數(shù)和光電轉(zhuǎn)換效率高,抗輻射能力強,吸收層材料禁帶寬度可調(diào),性能穩(wěn)定,無毒等優(yōu)點,是制作薄膜太陽電池的優(yōu)良材料。CIS(Se), CIGS(Se), CZTS(Se)量子點
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傳統(tǒng)方法-真空濺射沉積再進行硫化或硒化反應(yīng)形成薄膜太陽能電池, 在制備過程中很難控制各個元素的蒸發(fā)速率和保持襯底溫度的穩(wěn)定,而且由于采用了真空的工藝環(huán)節(jié),導致工藝復雜,總成本很高。通過對量子點燒結(jié)形成半導體薄是一種新興的薄膜太陽能電池的制備技術(shù),可以極大簡化生產(chǎn)工藝,降低成本制,因此具有非常廣泛的應(yīng)用前景。
我們可根據(jù)客戶需求,提供不同質(zhì)量的CIS(Se), CIGS(Se), CZTS(Se)量子點。
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